Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:p1v87r7qm69tsfx3 > Ion energy control ...

Ion energy control via the electrical asymmetry effect to tune coating properties in reactive radio frequency sputtering [Elektronisk resurs]

Ries, Stefan (författare)
Banko, Lars (författare)
Hans, Marcus (författare)
Primetzhofer, Daniel (författare)
Schneider, Jochen M. (författare)
Ludwig, Alfred (författare)
Awakowicz, Peter (författare)
Schulze, Julian (författare)
Uppsala universitet Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet (utgivare)
Publicerad: IOP PUBLISHING LTD, 2019
Engelska.
Ingår i: Plasma sources science & technology (Print). - 0963-0252. ; 28:11
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • A knowledge-based understanding of the plasma-surface-interaction with the aim to precisely control (reactive) sputtering processes for the deposition of thin films with tailored and reproducible properties is highly desired for industrial applications. In order to understand the effect of plasma parameter variations on the film properties, a single plasma parameter needs to be varied, while all other process and plasma parameters should remain constant. In this work, we use the Electrical Asymmetry Effect in a multi-frequency capacitively coupled plasma to control the ion energy at the substrate without affecting the ion-to-growth flux ratio by adjusting the relative phase between two consecutive driving harmonics and their voltage amplitudes. Measurements of the ion energy distribution function and ion flux at the substrate by a retarding field energy analyzer combined with the determined deposition rate R-d for a reactive Ar/N-2 (8:1) plasma at 0.5 Pa show a possible variation of the mean ion energy at the substrate E-ig(m) within a range of 38 and 81 eV that allows the modification of the film characteristics at the grounded electrode, when changing the relative phase shift between the applied voltage frequencies, while the ion-to-growth flux ratio Gamma(ig)/Gamma(gr) can be kept constant. AlN thin films are deposited and exhibit an increase in compressive film stress from -5.8 to -8.4 GPa as well as an increase in elastic modulus from 175 to 224 GPa as a function of the mean ion energy. Moreover, a transition from the preferential orientation (002) at low ion energies to the (100), (101) and (110) orientations at higher ion energies is observed. In this way, the effects of the ion energy on the growing film are identified, while other process relevant parameters remain unchanged. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Physical Sciences  (hsv)
Fusion, Plasma and Space Physics  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Fysik  (hsv)
Fusion, plasma och rymdfysik  (hsv)

Genre

government publication  (marcgt)

Indexterm och SAB-rubrik

voltage waveform tailoring
electrical asymmetry effect
plasma surface interaction
aluminium nitride
multi-frequency capacitively coupled plasmas
retarding field energy analyzer
plasma confinement
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy