Unintentional incorporation of hydrogen in wurtzite InN with different surface orientations [Elektronisk resurs]
-
Darakchieva, Vanya (författare)
-
Lorenz, K (författare)
-
Xie, Mengyao (författare)
-
Alves, E (författare)
-
Hsiao, C L (författare)
-
Chen, L C (författare)
-
Tu, L W (författare)
-
Schaff, W J (författare)
-
Yamaguchi, T (författare)
-
Nanishi, Y (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
- American Institute of Physics (AIP) 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979. ; 110:6, 063535
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- We have studied hydrogen impurities and related structural properties in state-of-the-art wurtzite InN films with polar, nonpolar, and semipolar surface orientations. The effects of thermal annealing and chemical treatment on the incorporation and stability of H are also discussed. The near-surface and bulk hydrogen concentrations in the as-grown films increase when changing the surface orientation from (0001) to (000 (1) over bar) to (1 (1) over bar 01) and to (11 (2) over bar0), which may be associated with a decrease in the grain size and change of the growth mode from 2D to 3D. Thermal annealing at 350 degrees C in N(2) leads to a reduction of H concentrations and the intrinsic levels of bulk H are found to correlate with the structural quality and defects in the annealed films.
Ämnesord
- Engineering and Technology (hsv)
- Teknik och teknologier (hsv)
- TECHNOLOGY (svep)
- TEKNIKVETENSKAP (svep)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas