Sökning: onr:22098575 > Two-domain formatio...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane Al2O3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering [Elektronisk resurs]
- Muhammad, Junaid (författare)
- Lundin, Daniel (författare)
- Palisaitis, Justinas (författare)
- Hsiao, Ching-Lien (författare)
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Jensen, Jens (författare)
- Persson, Per 1971- (författare)
- Sandström, Per (författare)
- Lai, W-J (författare)
- Chen, L-C (författare)
- Chen, K-H (författare)
- Helmersson, Ulf (författare)
- Hultman, Lars (författare)
- Birch, Jens (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn) -
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn) - Alternativt namn: IFM
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
- Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
- Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
- Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
- Alternativt namn: LiTH
- Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
- Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn) -
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn) - Alternativt namn: IFM
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn) -
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn) - Alternativt namn: IFM
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
- Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
- Center for Condensed Matter Sciences (medarbetare)
- Center for Condensed Matter Sciences (medarbetare)
- Center for Condensed Matter Sciences (medarbetare)
- American Institute of Physics (AIP) 2011
- Engelska.
- Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979. ; 110:12, 123519
- E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning
Ämnesord
Inställningar
Hjälp
Stäng
- We study the effect of high power pulses in reactive magnetron sputter epitaxy on the structural properties of GaN (0001) thin films grown directly on Al 2 O 3 (0001) substrates. The epilayers are grown by sputtering from a liquid Ga target, using a high power impulse magnetron sputtering power supply in a mixed N 2 /Ar discharge. X-ray diffraction, micro-Raman, micro-photoluminescence, and transmission electron microscopy investigations show the formation of two distinct types of domains. One almost fully relaxed domain exhibits superior structural and optical properties as evidenced by rocking curves with a full width at half maximum of 885 arc sec and a low temperature band edge luminescence at 3.47 eV with the full width at half maximum of 10 meV. The other domain exhibits a 14 times higher isotropic strain component, which is due to the higher densities of the point and extended defects, resulting from the ion bombardment during growth. Voids form at the domain boundaries. Mechanisms for the formation of differently strained domains, along with voids during the epitaxial growth of GaN are discussed.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- Natural Sciences (hsv)
- Physical Sciences (hsv)
- Condensed Matter Physics (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- Fysik (hsv)
- Den kondenserade materiens fysik (hsv)
Beståndsinformation saknas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Sök vidare
Hjälp
- Fler titlar av
- Muhammad, Junaid
- Lundin, Daniel
- Palisaitis, Justinas
- Hsiao, Ching-Lien
- Darakchieva, Vanya
- Jensen, Jens
- visa fler...
- Persson, Per 1971-
- Sandström, Per
- Lai, W-J
- Chen, L-C
- Chen, K-H
- Helmersson, Ulf
- Hultman, Lars
- Birch, Jens
- Linköpings universit ...
- Linköpings universit ...
- Center for Condensed ...
- visa färre...
- Fler titlar om
- Natural Sciences
- Naturvetenskap
- Physical Sciences
- Condensed Matter Phy ...
- visa fler...
- Fysik
- Den kondenserade mat ...
- visa färre...
- Värdpublikation
- Journal of Applied P ...
- Fler artiklar
Sök utanför LIBRIS
Hjälp
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
- LibraryThing
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
