Growth of Hard Amorphous Ti-Al-Si-N Thin Films by Cathodic Arc Evaporation [Elektronisk resurs]
-
Fager, Hanna (författare)
-
Andersson, J. M. (författare)
-
Johansson, Mats (författare)
-
Odén, Magnus (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Surface & Coatings Technology. - 0257-8972. ; 235:25, 376-385
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- Ti (1−x−y) Al x Si y N z (0.02≤x≤0.46, 0.02≤y≤0.28, and 1.08≤z≤1.29) thin films were grown on cemented carbide substrates in an industrial scale cathodic arc evaporation system using Ti-Al-Si compound cathodes in a N 2 atmosphere. The microstructure of the as-deposited films changes from nanocrystalline to amorphous by addition of Al and Si to TiN. Upon incorporation of 12 at% Si and 18 at% Al, the films assume an x-ray amorphous state. Post-deposition anneals show that the films are thermally stable up to 900 ◦C. The films exhibit age hardening up to 1000 ◦C with an increase in hardness from 21.9 GPa for as-deposited films to 31.6 GPa at 1000 ◦C. At 1100 ◦C severe out-diffusion of Co and W from the substrate occur, and the films recrystallize into c-TiN and w-AlN.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas