Self-organization during Growth of ZrN/SiN x Multilayers by Epitaxial Lateral Overgrowth [Elektronisk resurs]
-
Fallqvist, Amie (författare)
-
Ghafoor, Naureen (författare)
-
Fager, Hanna (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
Persson, Per O A (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979. ; 114:224302
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- ZrN/SiN x nanoscale multilayers were deposited on ZrN seed layers grown on top of MgO(001) substrates by dc magnetron sputtering with a constant ZrN thickness of 40 Å and with an intended SiNx thickness of 2, 4, 6, 8, and 15 Å at a substrate temperature of 800 °C and 6 Å at 500 °C. The films were investigated by X-ray diffraction, high-resolution scanning transmission electron microscopy, and energy dispersive X-ray spectroscopy. The investigations show that the SiNx is amorphous and that the ZrN layers are crystalline. Growth of epitaxial cubic SiNx – known to take place on TiN(001) – on ZrN(001) is excluded to the monolayer resolution of this study. During the course of SiNx deposition, the material segregates to form surface precipitates in discontinuous layers for SiNx thicknesses ≤ 6 Å that coalesce into continuous layers for 8 and 15 Å thickness at 800 °C, and for 6 Å at 500 °C. The SiN x precipitates are aligned vertically. The ZrN layers in turn grow by epitaxial lateral overgrowth on the discontinuous SiN x in samples deposited at 800 °C with up to 6 Å thick SiN x layers. Effectively a self-organized nanostructure can be grown consisting of strings of 1-3 nm large SiNx precipitates along apparent column boundaries in the epitaxial ZrN.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas